技術情報

WLP技術

ロードマップ

Item Typical 2016 2017 2018 technology
最大ダイサイズ [mm]
Max. Die Size  (√X*Y) [mm]
6 12 15 15 ・高信頼性はんだボール(〜2017 1Q)
 New solder ball for high reliability
最小ダイサイズ [mm]
Min. Die Size  (√X*Y) [mm]
1.0 0.5 <0.5 <0.5 ・小チップ向け 新ダイシングテープ
 New grinding tape for Min. Die size
再配線最小配線幅/スペース幅 [μm]
Cu Redistribution Min. Line/Space [μm]
15/20 10/10 <10/10 <5/5 ・銅再配線向け 新フォトレジスト
 New photo resist for Cu redistribution
銅再配線 最大厚み [μm]
Cu Redistribution max. Thickness [μm]
5 - 7 12 >15 >15  
スクライブライン幅 [μm]
Scribe Line Width  Min.[μm]
100 60 50 50 ・ダイシング装置改造
 Dicing Equipment  Remodeling
ご選択 Option          
  ボディー  最小厚み(通常) [μm]
Body Min. Thickness [μm] (Normal)
550 - 400 300 <250 <250 ・低応力 新封止樹脂 (〜2016 4Q)
 New encapsulation resin for a low residual stress
同 最小厚み(DBG) [μm]
Body Min. Thickness [μm] (DBG)
200 80 <80 <80 ・ストレスリリーフ技術/新バックグラインドテープ
 Stress release / New back grind tape
リパッシベーション 最大厚 [μm]
Max. Repassivation Thickness [μm]
4 - 6 12 15 >15 ・ネガタイプポリイミドの開発 (〜2016 3Q)
 Development of Negative Polyimide
狭ピッチ幅 [mm]
Narrow Pitch
0.4 0.2 0.15 <0.15 ・半田ボール/U1構造/Cuピラー
最大プロセス温度 [℃] ※
Max. Process Temp. [degree C]
350 250 230 230 ・低温低応力 新リパッシベーション膜 (〜2015 3Q)
 New repassivation material for low temp and  low residual stress
 短時間のため、リフロー熱処理は除く
半田ボールサイズ [μm]
Solder Ball Size [μm]
200 90 80 60 ・微細ボール対応装置/ボール搭載版の改善
  Si面のポリッシュ仕上げ
Dry Polish
  12/8inch 12/8inch 12/8inch ・抗折強度向上(捺印負荷)
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